Datasheet PMGD290XN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363 — Даташит
Наименование модели: PMGD290XN,115
Купить PMGD290XN,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.91 до 616 ₽ 34 предложений от 14 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 200 мА, 0.29 Ом, SOT-363, Surface Mount | |||
PMGD290XN.115 Nexperia | 6.91 ₽ | ||
PMGD290XN.115 Nexperia | от 9.06 ₽ | ||
PMGD290XN.115 Nexperia | от 9.36 ₽ | ||
PMGD290XN,115 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363
Краткое содержание документа:
PMGD290XN
Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET
MBD128
Rev.
01 -- 26 February 2004
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 200 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 350 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 410 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 560 мА
- Current Id Max: 860 мА
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 20 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), N Channel: 0.29 Ом
- Тип корпуса: SOT-363
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMGD290XN115, PMGD290XN 115