Datasheet PMGD400UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 30 В, SOT363 — Даташит

Купить PMGD400UN,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.31 до 277 ₽ 21 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы
Lixinc Electronics Весь мир	PMGD400UN,115 NXP	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	PMGD400UN,115	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	PMGD400UN,115 NXP	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	PMGD400UN,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 30 В, SOT363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD400UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
MBD128
Rev.

01 -- 3 March 2004
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 200 мА
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 480 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Рассеиваемая мощность: 410 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 710 мА
• Current Id Max: 710 мА
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 0.4 Ом
• Тип корпуса: SOT-363
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMGD400UN115, PMGD400UN 115