Datasheet PMGD780SN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 60 В, SOT363 — Даташит

Купить PMGD780SN,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.43 до 532 ₽ 36 предложений от 17 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 300 мА, 0.78 Ом, SOT-363, Surface Mount
AllElco Electronics Весь мир	PMGD780SN,115 Nexperia	от 2.43 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	PMGD780SN,115 Nexperia	от 12 ₽	Купить
Maybo Весь мир	PMGD780SN,115 Nexperia	31 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	PMGD780SN+115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 60 В, SOT363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD780SN
Dual N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

02 -- 19 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 300 мА
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 920 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Рассеиваемая мощность: 410 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 490 мА
• Current Id Max: 490 мА
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 60 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 0.78 Ом
• Тип корпуса: SOT-363
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMGD780SN115, PMGD780SN 115