Datasheet PMGD8000LN - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SOT-363 — Даташит

Купить PMGD8000LN на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 173 ₽ 15 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, MOSFET Transistor, Dual N Channel, 125mA, 30V, 8Ω, 4V, 1.5V
Maybo Весь мир	PMGD8000LN,115 NXP	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	PMGD8000LN,115	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	PMGD8000LN,115 NXP	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PMGD8000LN NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SOT-363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD8000LN
Dual µTrenchMOSTM logic level FET
MBD128
Rev.

01 -- 27 February 2003
Product data

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 125 мА
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 8 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Power Dissipation Pd: 200 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 125 мА
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOT-363
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 7 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• On State Resistance Max: 8 Ом
• Pulse Current Idm: 250 мА
• Rise Time: 7 нс
• Время выключения: 15 нс
• Время включения: 10 нс
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
• Voltage Vgs th Max: 1.5 В

RoHS: есть