Datasheet PMGD8000LN - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SOT-363 — Даташит
Наименование модели: PMGD8000LN
Купить PMGD8000LN на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 84 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Compliant Surface Mount 1.35 mm 1 mm 2.2 mm 7 ns Lead Free 7 ns | |||
| PMGD8000LN,115 NXP | 26 ₽ | ||
| PMGD8000LN,115 NXP | 26 ₽ | ||
| PMGD8000LN NXP | по запросу | ||
| PMGD8000LN,115 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SOT-363
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PMGD8000LN
Dual µTrenchMOSTM logic level FET
MBD128
Rev.
01 -- 27 February 2003
Product data
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 125 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 8 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Power Dissipation Pd: 200 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 125 мА
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOT-363
- Способ монтажа: SMD
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time tf: 7 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- On State Resistance Max: 8 Ом
- Pulse Current Idm: 250 мА
- Rise Time: 7 нс
- Время выключения: 15 нс
- Время включения: 10 нс
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
- Voltage Vgs th Max: 1.5 В
RoHS: есть
