Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet QS6J3TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В — Даташит

Rohm QS6J3TR

Наименование модели: QS6J3TR

14 предложений от 8 поставщиков
Compliant Surface Mount 12 ns Lead Free Cut Tape 12 ns No SVHC 215 mΩ
Akcel
Весь мир
QS6J3TR
Rohm
от 13 ₽
Utmel
Весь мир
QS6J3TR
Rohm
от 13 ₽
AiPCBA
Весь мир
QS6J3TR
29 ₽
Acme Chip
Весь мир
QS6J3TR
Rohm
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 430 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
  • Корпус транзистора: TSMT
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Capacitance Ciss Typ: 270 пФ
  • Current Id Max: -1.5 А
  • Fall Time tf: 20 нс
  • Module Configuration: Dual
  • Тип корпуса: TSMT6
  • Pin Configuration: 1(S1), 2(G1), 3(D2), 4(S2), 5(G2), 6(D1)
  • Pulse Current Idm: 6 А
  • Rise Time: 12 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: -20 В
  • Voltage Vgs Max: -12 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Max: -2 В
  • Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet QS6J3TR - Rohm MOSFET, P, VGS -2.5 V

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России