Datasheet QS6M3TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 20V/30V, 1 А — Даташит

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 20V/30V, 1 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS6M3
Transistors
2.5V Drive Nch+Pch MOSFET
QS6M3
Structure Silicon N-channel / P-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 360 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 900 мВт
• Корпус транзистора: TSMT
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 1.5 А
• Module Configuration: Dual
• Тип корпуса: TSMT6
• Pulse Current Idm: 6 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
• Voltage Vgs th Max: 500 мВ
• Voltage Vgs th Min: 1.5 В

RoHS: есть