Datasheet SK85MH10T - Semikron Даташит Полевой транзистор MODULE, H мостовая схема 100 В — Даташит
Наименование модели: SK85MH10T
Купить SK85MH10T на РадиоЛоцман.Цены — от 1 996 до 8 887 ₽ 10 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0075ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SEMITOP 2, 14 PIN | |||
| SK85MH10T Semikron | 1 996 ₽ | ||
| SK85MH10T Semikron | от 8 887 ₽ | ||
| SK85MH10T Semikron | по запросу | ||
| SK85MH10T Semikron | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: Полевой транзистор MODULE, H мостовая схема 100 В
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
SK 85 MH 10 T MOSFET,TRANSISTOR
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions MOSFET Values Units
Inverse diode
SEMITOP® 2 MOSFET Module
SK 85 MH 10 T Preliminary Data Freewheeling CAL diode
Спецификации:
- Module Configuration: Half Bridge
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 80 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.3 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SEMITOP 2
- Количество выводов: 16
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 80 А
- External Depth: 28 мм
- Внешняя длина / высота: 15.43 мм
- Внешняя ширина: 40.5 мм
- Количество транзисторов: 4
- Тип корпуса: SEMITOP 2
- Способ монтажа: Screw
- Current Temperature: 25°C
- Fixing Centres: 38 мм
- Fixing Hole Diameter: 2 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- IC Package (Case style): А
- Pulse Current Idm: 120 А
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 2.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Semikron - P35/250A.
