Datasheet SP8M3FU6TB - Rohm Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP — Даташит
Наименование модели: SP8M3FU6TB
![]() 22 предложений от 16 поставщиков Структура NP-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В ±30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А ±20/18Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20Сопротивление канала в... | |||
SP8M3FU6TB Rohm | 42 ₽ | ||
SP8M3FU6TB Rohm | 46 ₽ | ||
SP8M3FU6TB Rohm | от 104 ₽ | ||
SP8M3FU6TB Rohm | 143 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP
Краткое содержание документа:
SP8M3
Transistors
4V Drive Nch+Pch MOS FET
SP8M3
Structure Silicon N-channel / P-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 82 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Корпус транзистора: SOP
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 5 А
- Тип корпуса: SOP-8
- Способ монтажа: SMD
- Pulse Current Idm: 18 А
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Roth Elektronik - RE932-01