Datasheet US6M2TR - Rohm Даташит — Даташит
Наименование модели: US6M2TR
![]() 27 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1А; Idm: 4÷6А; 1Вт | |||
US6M2TR Rohm | от 35 ₽ | ||
US6M2TR Rohm | от 44 ₽ | ||
US6M2TR Rohm | от 51 ₽ | ||
US6M2TR | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Краткое содержание документа:
US6M2
Transistors
2.5V Drive Nch+Pch MOSFET
US6M2
Structure Silicon N-channel MOSFET / Silicon P-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 240 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 1 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TUMT
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 1.5 А
- Module Configuration: Dual
- Тип корпуса: TUMT6
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть