Datasheet ZXMC3A17DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 30 В, SO-8 — Даташит

Купить ZXMC3A17DN8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 169 ₽ 30 предложений от 14 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 4.4 А, 0.07 Ом, SOIC, Surface Mount
AllElco Electronics Весь мир	ZXMC3A17DN8TA Diodes	от 16 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMC3A17DN8TA Diodes	23 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	ZXMC3A17DN8TA Diodes	от 53 ₽	Купить
Augswan Весь мир	ZXMC3A17DN8TA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 30 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMC3A17DN8
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY N-Channel : V(BR)DSS= 30V : RDS(on)= 0.050 ; ID= 5.4A P-Channel : V(BR)DSS= -30V : RDS(on)= 0.070 ; ID= -4.4A
DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 70 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 5.4 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: 1(S1), 2(G1), 3(S2), 4(G2), 5+6(D2), 7+8(D1)
• Способ монтажа: SMD
• Pulse Current Idm: 20 А
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01
• STANNOL - 631954