Datasheet ZXMD63C02X - Diodes Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, MSOP8 — Даташит

Купить ZXMD63C02X на РадиоЛоцман.Цены — от 75 до 164 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.7/-2.4A; 1.25W; MSOP8
EIS Components Весь мир	ZXMD63C02X Zetex	75 ₽	Купить
ЧипСити Россия	ZXMD63C02X Diodes	154 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	ZXMD63C02X Zetex	по запросу	Купить
Acme Chip Весь мир	ZXMD63C02X Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, MSOP8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMD63C02X
20V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY N-CHANNEL: V(BR)DSS=20V; RDS(ON)=0.13 ; ID=2.4A P-CHANNEL: V(BR)DSS=-20V; RDS(ON)=0.27 ; ID=-1.7A
DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
MSOP8

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 130 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: MSOP
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 2.4 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: MSOP8
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id P Channel: 1.7 А
• Current Temperature: 25°C
• On State Resistance N Channel Max: 130 МОм
• On State Resistance P Channel Max: 270 МОм
• Pulse Current Idm: 19 А
• SMD Marking: ZXM63C02
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds N Channel: 4.5 В
• Voltage Vgs Rds P Channel: 4.5 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 700 мВ
• Voltage Vgs th N Channel 1 Min: 700 мВ
• Voltage Vgs th P Channel Min: 700 мВ

RoHS: есть