Datasheet ZXMHC6A07T8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, мостовая схема, SM8 — Даташит
Наименование модели: ZXMHC6A07T8TA
![]() 32 предложений от 14 поставщиков Двойной МОП-транзистор, мостовая схема, N и P Дополнение, 60 В, 1.8 А, 1.5 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
ZXMHC6A07T8TA Diodes | от 25 ₽ | ||
ZXMHC6A07T8TA Zetex | 67 ₽ | ||
ZXMHC6A07T8TA Diodes | 136 ₽ | ||
ZXMHC6A07T8TA | 5 811 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, мостовая схема, SM8
Краткое содержание документа:
ZXMHC6A07T8
COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
SUMMARY N-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.300 ; ID= 1.8A P-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.425 ; ID= -1.5A DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.
This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
FEATURES
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 1.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SM
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 1.8 А
- Количество транзисторов: 4
- Тип корпуса: SM-8
- Способ монтажа: SMD
- Cont Current Id P Channel: 1.5 А
- Current Temperature: 25°C
- On State Resistance N Channel Max: 1.8 Ом
- On State Resistance P Channel Max: 1.5 Ом
- Pulse Current Idm: 8.7 А
- SMD Marking: ZXMHC6A07
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds N Channel: 10 В
- Voltage Vgs Rds P Channel: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
- Voltage Vgs th N Channel 1 Min: 1 В
- Voltage Vgs th P Channel Min: 1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Panasonic - EYGA121807A