Datasheet ZXMN3A06DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, 30 В, SO-8 — Даташит

Купить ZXMN3A06DN8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 5 231 ₽ 20 предложений от 10 поставщиков Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Utmel Весь мир	ZXMN3A06DN8TA Diodes	от 22 ₽	Купить
Akcel Весь мир	ZXMN3A06DN8TA Diodes	от 22 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMN3A06DN8TA Diodes	47 ₽	Купить
ЧипСити Россия	ZXMN3A06DN8TA Diodes	49 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, 30 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Данные для моделирования

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 35 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 6.2 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: 1(S1), 2(G1), 3(S2), 4(G2), 5+6(D2), 7+8(D1)
• Способ монтажа: SMD
• Pulse Current Idm: 30 А
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01
• STANNOL - 574601