Datasheet ZXMN3G32DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN, SO-8 — Даташит

Купить ZXMN3G32DN8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 68 ₽ 22 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A Automotive 8Pin SOIC T/R
Lixinc Electronics Весь мир	ZXMN3G32DN8TA Diodes	от 35 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMN3G32DN8TA Diodes	53 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	ZXMN3G32DN8TA Diodes	от 57 ₽	Купить
Эиком Россия	ZXMN3G32DN8TA Diodes	от 62 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NN, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN3G32DN8 30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS 30 RDS(on) () 0.028 @ VGS= 10V 0.045 @ VGS= 4.5V ID (A) 7.1 5.6
Description
This new generation Trench MOSFET from Zetex features low onresistance and fast switching speed.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 28 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 7.1 А
• Current Id Max: 7.1 А
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 0.028 Ом
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 45 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 28 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Pulse Current Idm: 33.6 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть