Datasheet ZXMN6A11DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, 60 В, SO-8 — Даташит

Купить ZXMN6A11DN8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 1 622 ₽ 31 предложений от 15 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 3.2 А, 0.18 Ом, SOIC, Surface Mount
Онлайн Компоненты Россия	ZXMN6A11DN8TA Diodes	от 65 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	ZXMN6A11DN8TA Diodes	от 83 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	ZXMN6A11DN8TA	1 622 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	ZXMN6A11DN8TA	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, 60 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN6A11DN8 60V SO8 Dual N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS 60 RDS(on) ( ) 0.120 @ VGS= 10V 0.180 @ VGS= 4.5V ID (A) 3.2 2.6
Description
This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 180 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 3.2 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: 1(S1), 2(G1), 3(S2), 4(G2), 5+6(D2), 7+8(D1)
• Способ монтажа: SMD
• Pulse Current Idm: 13.7 А
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01
• STANNOL - 574601