Datasheet IRF8313PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный N-CH 30 В 9.7 А SO8 — Даташит
Наименование модели: IRF8313PBF
![]() 28 предложений от 18 поставщиков Транзисторы разные.Вес: 0,15 гМаксимальный ток: сток-исток: 9,7 АКорпус: soic-8Мощность: рассеиваемая макс.: 2 ВтКонфигурация: 2n-каналаМаксимальное напряжение: затвор-исток: 20 ВСопротивление: канала в открытом... | |||
IRF8313PBF Rochester Electronics | от 17 ₽ | ||
IRF8313PBF Infineon | 26 ₽ | ||
IRF8313PBF Infineon | 48 ₽ | ||
IRF8313PBF Rochester Electronics | 183 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный N-CH 30 В 9.7 А SO8
Краткое содержание документа:
PD - 97145
IRF8313PbF
Applications
l l
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 15.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 9.7 А
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.35 В
RoHS: есть