Datasheet IRF8313PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный N-CH 30 В 9.7 А SO8 — Даташит

Купить IRF8313PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 225 ₽ 26 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9,7А; 2Вт; SO8; HEXFET®
Триема Россия	IRF8313PBF SO-8 IR транзистор	225 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF8313PbF International Rectifier	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF8313PBF Infineon	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IRF8313PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 9.7А [SO-8] EPCOS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный N-CH 30 В 9.7 А SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97145
IRF8313PbF
Applications
l l
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 15.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 9.7 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.35 В

RoHS: есть