Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IRF8313PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный N-CH 30 В 9.7 А SO8 — Даташит

International Rectifier IRF8313PBF

Наименование модели: IRF8313PBF

28 предложений от 18 поставщиков
Транзисторы разные.Вес: 0,15 гМаксимальный ток: сток-исток: 9,7 АКорпус: soic-8Мощность: рассеиваемая макс.: 2 ВтКонфигурация: 2n-каналаМаксимальное напряжение: затвор-исток: 20 ВСопротивление: канала в открытом...
Lixinc Electronics
Весь мир
IRF8313PBF
Rochester Electronics
от 17 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
IRF8313PBF
Infineon
26 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRF8313PBF
Infineon
48 ₽
727GS
Весь мир
IRF8313PBF
Rochester Electronics
183 ₽

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный N-CH 30 В 9.7 А SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97145
IRF8313PbF
Applications
l l
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 15.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 9.7 А
  • Тип корпуса: SOIC
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.35 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRF8313PBF - International Rectifier MOSFET, DUAL N-CH 30 V 9.7 A SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка