Datasheet NTE222 - NTE Electronics Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 25 В, TO-72 — Даташит

Купить NTE222 на РадиоЛоцман.Цены — от 293 до 1 078 ₽ 11 предложений от 7 поставщиков Field Effect Transistor Dual Gate N-Channel MOSFET
AiPCBA Весь мир	NTE222 NTE Electronics	1 078 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	NTE-222	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE222	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	NTE222 NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 25 В, TO-72

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE222 Field Effect Transistor Dual Gate N­Channel MOSFET
Absolute Maximum Ratings: Drain­Source Voltage, VDS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain­Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Reverse Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­10mA Forward Gate Current, IGF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 50 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• Power Dissipation Pd: 360 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +175°C
• Количество выводов: 4