Datasheet NTHC5513T1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, NP CH, 20 В, CHIPFET 1206 А — Даташит

Купить NTHC5513T1G на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 297 ₽ 19 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8Pin Chip FET T/R
Maybo Весь мир	NTHC5513T1G ON Semiconductor	30 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	NTHC5513T1G ON Semiconductor	49 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTHC5513T1G ON Semiconductor	90 ₽	Купить
IC Home Весь мир	NTHC5513T1G ON Semiconductor	112 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 20 В, CHIPFET 1206 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTHC5513 Power MOSFET
20 V, +3.9 A / -3.0 A, Complementary ChipFETt
Features
· · · · · · · · · · ·
Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Featuring Complementary Pair ChipFET Package Provides Great Thermal Characteristics Similar to Larger Packages Low RDS(on) in a ChipFET Package for High Efficiency Performance Low Profile (< 1.10 mm) Allows Placement in Extremely Thin Environments Such as Portable Electronics Pb-Free Package is Available Load Switch Applications Requiring Level Shift DC-DC Conversion Circuits Drive Small Brushless DC Motors Designed for Power Management Applications in Portable, Battery Powered Products

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 2.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 0.058 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Количество выводов: 8
• Корпус транзистора: ChipFET
• Полярность транзистора: N and P Complement
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)