Datasheet NTHD3102CT1G - ON Semiconductor Даташит Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 1206 А — Даташит

ON Semiconductor NTHD3102CT1G

Наименование модели: NTHD3102CT1G

Купить NTHD3102CT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 311 ₽ 32 предложений от 18 поставщиков MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A. Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.1A 1.1W Surface Mount ChipFET^TM. Transistors - FETs,...
Рутоника Россия и страны СНГ	NTHD3102CT1G ON Semiconductor	19 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	NTHD3102CT1G ON Semiconductor	по запросу
Контест Россия	NTHD3102CT1G ON Semiconductor	по запросу
Augswan Весь мир	NTHD3102CT1G ON Semiconductor	по запросу

Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 1206 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTHD3102C Power MOSFET
Complementary, 20 V, +5.5 A /-4.2 A, ChipFETt
Features
· · · · · · · · · ·
Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance Reduced Gate Charge to Improve Switching Response This is a Pb-Free Device

Спецификации:

Полярность транзистора: Dual N & P Channel
Continuous Drain Current Id: 5.5 А
Drain Source Voltage Vds: 20 В
On Resistance Rds(on): 0.045 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В

RoHS: есть