Datasheet NTHD3102CT1G - ON Semiconductor Даташит Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 1206 А — Даташит
Наименование модели: NTHD3102CT1G
30 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20В; 2,2А; Idm: 16А; 600мВт | |||
NTHD3102CT1G ON Semiconductor | от 12 ₽ | ||
NTHD3102CT1G ON Semiconductor | 25 ₽ | ||
NTHD3102CT1G ON Semiconductor | от 89 ₽ | ||
NTHD3102CT1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 1206 А
Краткое содержание документа:
NTHD3102C Power MOSFET
Complementary, 20 V, +5.5 A /-4.2 A, ChipFETt
Features
· · · · · · · · · ·
Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance Reduced Gate Charge to Improve Switching Response This is a Pb-Free Device
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N & P Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.045 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
RoHS: есть