Datasheet IRF7507 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный NP LOGIC MICRO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7507
![]() 62 предложений от 30 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 0.14ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8, SOIC-8 | |||
IRF7507TRPBF Infineon | 14 ₽ | ||
IRF7507TRPBF Infineon | 55 ₽ | ||
IRF7507 | от 58 ₽ | ||
IRF7507TRPBF Infineon | от 202 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный NP LOGIC MICRO-8
Краткое содержание документа:
PD - 91269I
IRF7507
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (<1.1mm) Available in Tape & Reel Fast Switching
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 135 МОм
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Корпус транзистора: MicroSOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: Micro8
- Способ монтажа: SMD
- Cont Current Id N Channel 2: 2.4 А
- Cont Current Id P Channel: 1.7 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- On State Resistance N Channel Max: 135 МОм
- On State Resistance P Channel Max: 270 МОм
- Pulse Current Idm: 14 А
- Pulse Current Idm N Channel 2: 19 А
- Pulse Current Idm P Channel: 14 А
- SMD Marking: 7507
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vgs th Min: 700 мВ
Дополнительные аксессуары:
- Roth Elektronik - RE903