Datasheet IRF7757TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, TSSOP-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7757TRPBF
![]() 18 предложений от 12 поставщиков транзистор характеристики, TSSOP N-CH 20V 4.8A | |||
IRF7757TRPBF Infineon | 57 ₽ | ||
IRF7757TRPBF Infineon | 355 ₽ | ||
IRF7757TRPBF Infineon | по запросу | ||
IRF7757TRPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, TSSOP-8
Краткое содержание документа:
PD - 94174
IRF7757
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (< 1.2mm) Available in Tape & Reel Common Drain Configuration
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 35 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.2 В
- Корпус транзистора: TSSOP
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 4.8 А
- Тип корпуса: TSSOP
- Способ монтажа: SMD
- Power Dissipation Pd: 1.2 Вт
- Pulse Current Idm: 19 А
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1.2 В
- Voltage Vgs th Min: 0.6 В
RoHS: есть