Datasheet PMWD26UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит

Купить PMWD26UN на РадиоЛоцман.Цены 9 предложений от 8 поставщиков Dual N-channel uTrenchMOS ultra low level FET
727GS Весь мир	PMWD26UN,518 NXP	от 852 ₽	Купить
Maybo Весь мир	PMWD26UN,518 NXP	по запросу	Купить
МосЧип Россия	PMWD26UN NXP	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	PMWD26UN,518 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMWD26UN
Dual N-channel µTrenchMOS ultra low level FET
Rev.

02 -- 19 May 2005 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 30 МОм
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Корпус транзистора: TSSOP
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: TSSOP
• Pin Configuration: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
• Способ монтажа: SMD
• Семейство: 4
• Capacitance Ciss Typ: 1366 пФ
• On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 40 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 30 МОм
• Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
• Pulse Current Idm: 31.3 А
• SMD Marking: 26UN
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть