Datasheet PMWD26UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит

Купить PMWD26UN на РадиоЛоцман.Цены 9 предложений от 8 поставщиков Dual N-channel uTrenchMOS ultra low level FET
Maybo Весь мир	PMWD26UN,518 NXP	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PMWD26UN,518 NXP	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	PMWD26UN Nexperia	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PMWD26UN,518 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMWD26UN
Dual N-channel µTrenchMOS ultra low level FET
Rev.

02 -- 19 May 2005 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 30 МОм
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Корпус транзистора: TSSOP
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: TSSOP
• Pin Configuration: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
• Способ монтажа: SMD
• Семейство: 4
• Capacitance Ciss Typ: 1366 пФ
• On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 40 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 30 МОм
• Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
• Pulse Current Idm: 31.3 А
• SMD Marking: 26UN
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть