Datasheet FDS8926A - Fairchild Даташит Транзистор, полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: FDS8926A
![]() 16 предложений от 16 поставщиков МОП-транзистор SO-8 DUAL N-CH 30V | |||
FDS8926A-NL-VB | 142 ₽ | ||
FDS8926A_NL Fairchild | по запросу | ||
FDS8926A_NL Fairchild | по запросу | ||
FDS8926A-NL Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Транзистор, полевой транзистор
Краткое содержание документа:
February 1998
FDS8926A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.
This very high density process is especially tailored to provide superior switching performance and minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as disk drive motor control, battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 30 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 670 мВ
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 5.5 А
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Roth Elektronik - RE932-01