Datasheet FDS8926A - Fairchild Даташит Транзистор, полевой транзистор — Даташит

Купить FDS8926A на РадиоЛоцман.Цены — от 8.04 до 273 ₽ 17 предложений от 17 поставщиков MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO. Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC. Transistors - FETs, MOSFETs -...
AiPCBA Весь мир	FDS8926A Fairchild	52 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FDS8926A Fairchild	273 ₽	Купить
Контест Россия	FDS8926A Fairchild	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	FDS8926A_NL Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Транзистор, полевой транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
February 1998
FDS8926A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to provide superior switching performance and minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as disk drive motor control, battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 30 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 670 мВ
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 5.5 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Roth Elektronik - RE932-01