Datasheet QS6J1TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В — Даташит

Купить QS6J1TR на РадиоЛоцман.Цены — от 6.53 до 81 ₽ 36 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
AiPCBA Весь мир	QS6J1TR Rohm	16 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	QS6J1TR Rohm	от 17 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	QS6J1TR Rohm	от 43 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	QS6J1TR	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS6J1
Transistors
2.5V Drive Pch+Pch MOS FET
QS6J1
Structure Silicon P-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 430 МОм
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
• Корпус транзистора: TSMT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Тип корпуса: TSMT6
• Pin Configuration: 1(G1), 2(S2), 3(G2), 4(D2), 5(S1), 6(D1)
• Способ монтажа: SMD
• Capacitance Ciss Typ: 270 пФ
• Fall Time tf: 20 нс
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Pulse Current Idm: 6 А
• Rise Time: 12 нс
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
• Voltage Vgs th Max: -2 В
• Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть