Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet QS6M4TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PN, VGS-2.5V — Даташит

Rohm QS6M4TR

Наименование модели: QS6M4TR

29 предложений от 14 поставщиков
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5А; Idm: 6А; 1,25Вт
ChipWorker
Весь мир
QS6M4TR
Rohm
8.23 ₽
AiPCBA
Весь мир
QS6M4TR
Rohm
17 ₽
Триема
Россия
QS6M4TR-VB
142 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
QS6M4TR
Rohm
по запросу

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PN, VGS-2.5V

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS6M4
Transistors
2.5V Drive Nch+Pch MOS FET
QS6M4
Structure Silicon P-channel MOS FET Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 360 МОм
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Корпус транзистора: TSMT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Тип корпуса: TSMT6
  • Способ монтажа: SMD
  • Power Dissipation Pd: 900 мВт
  • Pulse Current Idm: 6 А
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Max: 500 мВ
  • Voltage Vgs th Min: 1.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet QS6M4TR - Rohm MOSFET, DUAL, PN, VGS-2.5V

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка