Datasheet QS6M4TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PN, VGS-2.5V — Даташит
Наименование модели: QS6M4TR
![]() 29 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5А; Idm: 6А; 1,25Вт | |||
QS6M4TR Rohm | 8.23 ₽ | ||
QS6M4TR Rohm | 17 ₽ | ||
QS6M4TR-VB | 142 ₽ | ||
QS6M4TR Rohm | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PN, VGS-2.5V
Краткое содержание документа:
QS6M4
Transistors
2.5V Drive Nch+Pch MOS FET
QS6M4
Structure Silicon P-channel MOS FET Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 360 МОм
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Корпус транзистора: TSMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Тип корпуса: TSMT6
- Способ монтажа: SMD
- Power Dissipation Pd: 900 мВт
- Pulse Current Idm: 6 А
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
- Voltage Vgs th Max: 500 мВ
- Voltage Vgs th Min: 1.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A