Datasheet SP8M2FU6TB - Rohm Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 30 В — Даташит
Наименование модели: SP8M2FU6TB
![]() 8 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8Pin SOP T/R | |||
SP8M2FU6TB Rohm | 38 ₽ | ||
SP8M2FU6TB Rohm | по запросу | ||
SP8M2FU6TB Rohm | по запросу | ||
SP8M2FU6TB LAPIS Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 30 В
Краткое содержание документа:
SP8M2
Transistors
4V Drive Nch+Pch MOS FET
SP8M2
Structure Silicon N-channel MOS FET / Silicon P-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 150 МОм
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Корпус транзистора: SOP
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Тип корпуса: SOP-8
- Способ монтажа: SMD
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 14 А
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
- Roth Elektronik - RE932-01