Datasheet US6K1TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN — Даташит
Наименование модели: US6K1TR
![]() 36 предложений от 18 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 1.5 А, 0.34 Ом, TUMT, Surface Mount | |||
US6K1TR Rohm | 20 ₽ | ||
US6K1TR Rohm | 47 ₽ | ||
US6K1-TR Rohm | по запросу | ||
US6K1TR Rohm | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN
Краткое содержание документа:
US6K1
Transistors
2.5V Drive Nch+Nch MOS FET
US6K1
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 340 МОм
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Корпус транзистора: TUMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Тип корпуса: TUMT6
- Способ монтажа: SMD
- Power Dissipation Pd: 1 Вт
- Pulse Current Idm: 6 А
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
- Voltage Vgs th Max: 500 мВ
- Voltage Vgs th Min: 1.5 В
RoHS: есть