Datasheet IRF7507PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, MICRO-8 — Даташит

Купить IRF7507PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 162 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.4A/1.7A 8Pin Micro
T-electron Россия и страны СНГ	IRF7507PBF Infineon	17 ₽	Купить
Триема Россия	IRF7507PBF MOSFET N/P-CH DUAL 20V 2.4/-1.7А	19 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRF7507PBF International Rectifier	31 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IRF7507PBF Infineon	162 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, MICRO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95218
IRF7507PbF
HEXFET® Power MOSFET
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance l Dual N and P Channel MOSFET l Very Small SOIC Package l Low Profile (<1.1mm) l Available in Tape & Reel l Fast Switching l Lead-Free Description
l l

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 135 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: MicroSOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 2.4 А
• External Depth: 5.03 мм
• Внешняя длина / высота: 1.11 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: Micro8
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id N Channel 2: 2.4 А
• Cont Current Id P Channel: 1.7 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• On State Resistance N Channel Max: 135 МОм
• On State Resistance P Channel Max: 270 МОм
• Pulse Current Idm: 14 А
• Pulse Current Idm N Channel 2: 19 А
• Pulse Current Idm P Channel: 14 А
• Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм

RoHS: есть