Datasheet PHKD6N02LT - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить PHKD6N02LT на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 155 ₽ 22 предложений от 22 поставщиков MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1. Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO. Transistors - FETs, MOSFETs -...
ТаймЧипс Россия	PHKD6N02LT,518 NXP	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	PHKD6N02LT /T3	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PHKD6N02LT,518 Nexperia	по запросу	Купить
Рутоника Россия и страны СНГ	PHKD6N02LT,518 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHKD6N02LT
Dual TrenchMOSTM logic level FET
M3D315
Rev.

02 -- 12 August 2003
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 10.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 20 МОм
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Power Dissipation Pd: 4.17 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Pulse Current Idm: 44 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: PHKD6N02LT
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть