Datasheet PHKD6N02LT - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить PHKD6N02LT на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 74 ₽ 20 предложений от 20 поставщиков Compliant Surface Mount 4.05 mm No SVHC 1.5 V 6.3 mm SMD/SMT SOIC
ЧипСити Россия	PHKD6N02LT,518 NXP	32 ₽	Купить
Элитан Россия	PHKD6N02LT NXP	71 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	PHKD6N02LT,518 Nexperia	72 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PHKD6N02LT NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHKD6N02LT
Dual TrenchMOSTM logic level FET
M3D315
Rev.

02 -- 12 August 2003
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 10.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 20 МОм
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Power Dissipation Pd: 4.17 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Pulse Current Idm: 44 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: PHKD6N02LT
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть