Datasheet PMWD15UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит

Купить PMWD15UN на РадиоЛоцман.Цены 8 предложений от 7 поставщиков Dual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET
Кремний Россия и страны СНГ	PMWD15UN Philips	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	PMWD15UN,518 NXP	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PMWD15UN,518 NXP	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PMWD15UN,518 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMWD15UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
Rev.

04 -- 5 April 2005 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 18.5 МОм
• Threshold Voltage Vgs Typ: 450 мВ
• Корпус транзистора: TSSOP
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TSSOP
• Pin Configuration: D-com(1+8), S1(2+3), G1(4), S2(6+7), G2(5)
• Способ монтажа: SMD
• Семейство: 2
• Capacitance Ciss Typ: 1450 пФ
• On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 28.5 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 18.5 МОм
• Power Dissipation Pd: 4.2 Вт
• Pulse Current Idm: 46.4 А
• SMD Marking: 15UN
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть