Datasheet PMWD15UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит
Наименование модели: PMWD15UN
9 предложений от 8 поставщиков Dual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET | |||
PMWD15UN,518 NXP | от 761 ₽ | ||
PMWD15UN,518 NXP | по запросу | ||
PMWD15UN Lumileds | по запросу | ||
PMWD15UN Philips | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8
Краткое содержание документа:
PMWD15UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
Rev.
04 -- 5 April 2005 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 11.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 18.5 МОм
- Threshold Voltage Vgs Typ: 450 мВ
- Корпус транзистора: TSSOP
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TSSOP
- Pin Configuration: D-com(1+8), S1(2+3), G1(4), S2(6+7), G2(5)
- Способ монтажа: SMD
- Семейство: 2
- Capacitance Ciss Typ: 1450 пФ
- On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 28.5 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 18.5 МОм
- Power Dissipation Pd: 4.2 Вт
- Pulse Current Idm: 46.4 А
- SMD Marking: 15UN
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть