Datasheet PMWD16UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит

Купить PMWD16UN на РадиоЛоцман.Цены 9 предложений от 9 поставщиков Mosfet Array 20V 9.9A 3.1W Surface Mount 8-TSSOP
TradeElectronics Россия	PMWD16UN NXP	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	PMWD16UN,518 NXP	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PMWD16UN NXP	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PMWD16UN,518 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMWD16UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
Rev.

02 -- 24 March 2005 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 19 МОм
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Корпус транзистора: TSSOP
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: TSSOP
• Pin Configuration: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
• Способ монтажа: SMD
• Семейство: 4
• Capacitance Ciss Typ: 1366 пФ
• On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 30 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 19 МОм
• Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
• Pulse Current Idm: 39.5 А
• SMD Marking: 16UN
• Voltage Vgs Max: 10 В

RoHS: есть