Datasheet PMWD16UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит
Наименование модели: PMWD16UN
МОП-транзистор N-CH TRENCH DL 20V | |||
| PMWD16UN /T3 | по запросу | ||
| PMWD16UN /T3 NXP | по запросу | ||
| PMWD16UN,518 NXP | по запросу | ||
| PMWD16UN NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PMWD16UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
Rev.
02 -- 24 March 2005 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 19 МОм
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Корпус транзистора: TSSOP
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: TSSOP
- Pin Configuration: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
- Способ монтажа: SMD
- Семейство: 4
- Capacitance Ciss Typ: 1366 пФ
- On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 30 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 19 МОм
- Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
- Pulse Current Idm: 39.5 А
- SMD Marking: 16UN
- Voltage Vgs Max: 10 В
RoHS: есть
