Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet PMWD19UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит

NXP PMWD19UN

Наименование модели: PMWD19UN

11 предложений от 10 поставщиков
МОП-транзистор TAPE13 PWR-MOS
727GS
Весь мир
PMWD19UN,518
NXP
от 261 ₽
PMWD19UN,518
NXP
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
PMWD19UN,518
NXP
по запросу
IC Home
Весь мир
PMWD19UN,518
NXP
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMWD19UN
Dual µTrenchMOSTM ultra low level FET
Rev.

01 -- 20 December 2002
M3D647
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 23 МОм
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Корпус транзистора: TSSOP
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Количество транзисторов: 2
  • Тип корпуса: TSSOP
  • Pin Configuration: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • Способ монтажа: SMD
  • Семейство: 4
  • Capacitance Ciss Typ: 1478 пФ
  • On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 35 МОм
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 23 МОм
  • Power Dissipation Pd: 2.3 Вт
  • Pulse Current Idm: 20 А
  • SMD Marking: 19UN
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 10 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMWD19UN - NXP MOSFET, N, TSSOP-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка