Datasheet PMWD19UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит

Купить PMWD19UN на РадиоЛоцман.Цены 12 предложений от 11 поставщиков Mosfet Array 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
ЭлектроПласт Россия	PMWD19UN /T3 NXP	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	PMWD19UN NXP	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	PMWD19UN Philips	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PMWD19UN,518 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMWD19UN
Dual µTrenchMOSTM ultra low level FET
Rev.

01 -- 20 December 2002
M3D647
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 23 МОм
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Корпус транзистора: TSSOP
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: TSSOP
• Pin Configuration: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
• Способ монтажа: SMD
• Семейство: 4
• Capacitance Ciss Typ: 1478 пФ
• On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 35 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 23 МОм
• Power Dissipation Pd: 2.3 Вт
• Pulse Current Idm: 20 А
• SMD Marking: 19UN
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть