Datasheet PMWD19UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит
Наименование модели: PMWD19UN
PMWD19UN,518 NXP | от 261 ₽ | ||
PMWD19UN,518 NXP | по запросу | ||
PMWD19UN,518 NXP | по запросу | ||
PMWD19UN,518 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8
Краткое содержание документа:
PMWD19UN
Dual µTrenchMOSTM ultra low level FET
Rev.
01 -- 20 December 2002
M3D647
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 23 МОм
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Корпус транзистора: TSSOP
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: TSSOP
- Pin Configuration: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
- Способ монтажа: SMD
- Семейство: 4
- Capacitance Ciss Typ: 1478 пФ
- On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 35 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 23 МОм
- Power Dissipation Pd: 2.3 Вт
- Pulse Current Idm: 20 А
- SMD Marking: 19UN
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть