Datasheet FDR8308P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8 — Даташит

Купить FDR8308P на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 2 194 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Транзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
727GS Весь мир	FDR8308P	24 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FDR8308P_NL Fairchild	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FDR8308P MOS ON Semiconductor	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	FDR8308P99 Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
November 1998
FDR8308P Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
General Description
The SuperSOT-8 family of P-Channel Logic Level MOSFETs have been designed to provide a low profile, small footprint alternative to industry standard SO-8 little foot type product.

These P-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics applications: load switching and power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual P
• Current Id Max: 3.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 0.05 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Power Dissipation: 0.8 Вт
• Корпус транзистора: Super-SOT
• Количество выводов: 8
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SuperSOT-8
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: MOSFET
• Continuous Drain Current Id: 3.2 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Power Dissipation Pd: 0.8 Вт
• Pulse Current Idm: 20 А
• SMD Marking: FDR8308P
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vgs th Max: -1.5 В

RoHS: есть