Datasheet FDR8308P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8 — Даташит

Купить FDR8308P на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 72 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8. Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount SuperSOTTM-8. Transistors - FETs, MOSFETs...
AiPCBA Весь мир	FDR8308P Fairchild	22 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FDR8308P Fairchild	66 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	FDR8308P ON Semiconductor	72 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FDR8308P MOS ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
November 1998
FDR8308P Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
General Description
The SuperSOT-8 family of P-Channel Logic Level MOSFETs have been designed to provide a low profile, small footprint alternative to industry standard SO-8 little foot type product.

These P-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics applications: load switching and power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual P
• Current Id Max: 3.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 0.05 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Power Dissipation: 0.8 Вт
• Корпус транзистора: Super-SOT
• Количество выводов: 8
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SuperSOT-8
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: MOSFET
• Continuous Drain Current Id: 3.2 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Power Dissipation Pd: 0.8 Вт
• Pulse Current Idm: 20 А
• SMD Marking: FDR8308P
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vgs th Max: -1.5 В

RoHS: есть