Datasheet FDS8978 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: FDS8978
![]() 44 предложений от 24 поставщиков Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.5 А, 1.6 Вт | |||
FDS8978 ON Semiconductor | от 29 ₽ | ||
FDS8978 ON Semiconductor | от 108 ₽ | ||
FDS8978 Fairchild | по запросу | ||
FDS8978_F123 Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
FDS8978 N-Channel PowerTrench® MOSFET
July 2005
FDS8978 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 7.5A, 18m Features
rDS(ON) = 18m, VGS = 10V, ID = 7.5A rDS(ON) = 21m, VGS = 4.5V, ID = 6.9A High performance trench technology for extremely low rDS(ON) Low gate charge High power and current handling capability 100% Rg Tested RoHS Compliant
Спецификации:
- Полярность транзистора: N
- Max Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 0.018 Ом
- Rds Measurement Voltage: 10 В
- Typ Voltage Vgs th: 2.5 В
- Power Dissipation: 1.6 Вт
- Корпус транзистора: SOIC
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: MOSFET
- Cont Current Id: 7.5 А
- Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
- Pulse Current Idm: 60 А
- Typ Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть