Datasheet IRF7314QPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, PP SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, PP SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96107
IRF7314QPbF
HEXFET® Power MOSFET
Typical Applications · Anti-lock Braking Systems (ABS) · Electronic Fuel Injection · Air bag Benefits · Advanced Process Technology · Dual P-Channel MOSFET · Ultra Low On-Resistance · 175°C Operating Temperature · Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax · Automotive [Q101] Qualified · Lead-Free Description
VDSS

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 49 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Power Dissipation Pd: 2.4 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 5.2 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Pulse Current Idm: 43 А
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: -700 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• BONKOTE - BON102
• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01