Datasheet IRF7343QPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NP SO-8 — Даташит

Купить IRF7343QPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 163 ₽ 9 предложений от 8 поставщиков , SOIC N+P 55V 4.7A/3.4A
ChipWorker Весь мир	IRF7343QPBF Infineon	16 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF7343QPBF International Rectifier	от 163 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF7343QPBF_10	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF7343QPBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, NP SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96110
IRF7343QPBF
l l l l l l l l
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel 150°C Operating Temperature Automotive [Q101] Qualified Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 43 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 4.7 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id N Channel 2: 4.7 А
• Cont Current Id P Channel: 3.4 А
• On State Resistance N Channel Max: 50 МОм
• On State Resistance P Channel Max: 105 МОм
• Pulse Current Idm N Channel 2: 38 А
• Pulse Current Idm P Channel: 27 А
• Voltage Vds: 55 В
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Max: 1 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• BONKOTE - BON102
• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01