Datasheet IRF9952QPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NP SO-8 — Даташит

Купить IRF9952QPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 63 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Transistor N/P-MOSFET 30V 3,5/-2,3A 2W SO8
AiPCBA Весь мир	IRF9952QPBF International Rectifier	16 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRF9952QPBF International Rectifier	63 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IRF9952QPBF Infineon	по запросу	Купить
МосЧип Россия	IRF9952QPBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, NP SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96115
IRF9952QPbF
l l l l l l l l
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel 150°C Operating Temperature Automotive [Q101] Qualified Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 80 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 3.5 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id N Channel 2: 3.5 А
• Cont Current Id P Channel: 2.3 А
• On State Resistance N Channel Max: 100 МОм
• On State Resistance P Channel Max: 250 МОм
• Pulse Current Idm N Channel 2: 16 А
• Pulse Current Idm P Channel: 10 А
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 1 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• BONKOTE - BON102
• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01