Datasheet IRF9952QPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NP SO-8 — Даташит

International Rectifier IRF9952QPBF

Наименование модели: IRF9952QPBF

Купить IRF9952QPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 72 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Transistor N/P-MOSFET 30V 3,5/-2,3A 2W SO8
AiPCBA Весь мир	IRF9952QPBF International Rectifier	19 ₽
ЧипСити Россия	IRF9952QPBF International Rectifier	72 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	IRF9952QPBF International Rectifier	по запросу
Flash-Turtle Весь мир	IRF9952QPBF International Rectifier	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, NP SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96115
IRF9952QPbF
l l l l l l l l
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel 150°C Operating Temperature Automotive [Q101] Qualified Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 3.5 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 80 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
Power Dissipation Pd: 2 Вт
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Current Id Max: 3.5 А
Тип корпуса: SOIC
Способ монтажа: SMD
Cont Current Id N Channel 2: 3.5 А
Cont Current Id P Channel: 2.3 А
On State Resistance N Channel Max: 100 МОм
On State Resistance P Channel Max: 250 МОм
Pulse Current Idm N Channel 2: 16 А
Pulse Current Idm P Channel: 10 А
Voltage Vds: 30 В
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Max: 1 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

BONKOTE - BON102
Electrolube - SMA10SL
Roth Elektronik - RE932-01