Datasheet NDH8304P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8 — Даташит

Купить NDH8304P на РадиоЛоцман.Цены — от 47 до 161 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8
Элитан Россия	NDH8304P ON Semiconductor	137 ₽	Купить
Augswan Весь мир	NDH8304P Fairchild	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NDH8304P Fairchild	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	NDH8304P(8304) Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
May 1997
NDH8304P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
SuperSOTTM-8 P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast high-side switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual P
• Max Current Id: -2.7 А
• Max Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 0.095 Ом
• Rds Measurement Voltage: -4.5 В
• Power Dissipation: 0.8 Вт
• Корпус транзистора: Super-SOT
• Количество выводов: 8
• Тип корпуса: SuperSOT-8
• Cont Current Id: 2.7 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 4.06 мм
• Внешняя длина / высота: 1.02 мм
• Внешняя ширина: 4.55 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Max Voltage Vgs th: -2.7 В
• Количество транзисторов: 2
• Power Dissipation Pd: 0.8 Вт
• Pulse Current Idm: 10 А
• SMD Marking: NDH8304P
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: MOSFET
• Typ Voltage Vds: -20 В
• Typ Voltage Vgs th: -0.7 В
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть