Datasheet PMWD30UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит

Купить PMWD30UN на РадиоЛоцман.Цены 6 предложений от 6 поставщиков Dual uTrenchMOS ultra low level FET
Maybo Весь мир	PMWD30UN,518 NXP	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	PMWD30UN Philips	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PMWD30UN,518 NXP	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	PMWD30UN,518 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMWD30UN
Dual µTrenchMOSTM ultra low level FET
M3D647
Rev.

01 -- 22 January 2003
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.033 Ом
• Threshold Voltage Vgs Typ: 0.7 В
• Корпус транзистора: TSSOP
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: TSSOP
• Pin Configuration: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: MOSFET
• Семейство: 4
• Capacitance Ciss Typ: 1478 пФ
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 0.04 Ом
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 0.033 Ом
• Power Dissipation Pd: 2.3 Вт
• Pulse Current Idm: 18 А
• SMD Marking: 30UN
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть