Datasheet SI4953DY - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4953DY
![]() 19 предложений от 17 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8Pin SOIC N | |||
SI4953DY Fairchild | 164 ₽ | ||
SI4953DY-E3 Vishay | по запросу | ||
SI4953DY Fairchild | по запросу | ||
SI4953DY-T Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8
Краткое содержание документа:
Si4953DY
June 1999
Si4953DY*
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: PP
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.053 Ом
- Power Dissipation: 2 Вт
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: MOSFET
- Continuous Drain Current Id: 4.9 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 30 А
- SMD Marking: 4953
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vgs th Max: 1 В
RoHS: есть