Datasheet ZXMN6A09DN8 - Diodes Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8 — Даташит

Купить ZXMN6A09DN8 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.04 до 11 246 ₽ 29 предложений от 19 поставщиков DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
Lixinc Electronics Весь мир	ZXMN6A09DN8TA Diodes	от 108 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	ZXMN6A09DN8_07 Zetex	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	ZXMN6A09DN8TA Peak	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	ZXMN6A09DN8ZTX Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN6A09DN8 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS 60 RDS(on) ( ) 0.040 @ VGS= 10V 0.060 @ VGS= 4.5V ID (A) 5.6 4.6
Description
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management applications.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 45 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• On State Resistance Max: 45 МОм
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.25 Вт
• Pulse Current Idm: 17.6 А
• SMD Marking: ZXMN6A09D
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть