Datasheet ZXMN6A25DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, 60VSO-8 — Даташит

Купить ZXMN6A25DN8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 5 364 ₽ 21 предложений от 11 поставщиков Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
ЧипСити Россия	ZXMN6A25DN8TA Diodes	65 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMN6A25DN8TA Diodes	68 ₽	Купить
ЭИК Россия	ZXMN6A25DN8TA Diodes	от 113 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	ZXMN6A25DN8TA Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, 60VSO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN6A25DN8 Dual 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS 60 RDS(on) ( ) 0.050 @ VGS = 10V 0.070 @ VGS = 4.5V ID (A) 5 4.2
Description
This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual N
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 0.05 Ом
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Корпус транзистора: SOIC
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: 1(S1), 2(G1), 3(S2), 4(G2), 5+6(D2), 7+8(D1)
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Pulse Current Idm: 24 А
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть