На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet SI1958DH-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SC-70 — Даташит

Vishay SI1958DH-T1-E3

Наименование модели: SI1958DH-T1-E3

9 предложений от 6 поставщиков
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
ChipWorker
Весь мир
SI1958DH-T1-E3
Vishay
23 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI1958DH-T1-E3
Vishay
23 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SI1958DH-T1-E3
по запросу
Acme Chip
Весь мир
SI1958DH-T1-E3
Vishay
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SC-70

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 205 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-323
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Семейство: 1958
  • Current Id Max: 1.3 А
  • Module Configuration: Dual
  • N-channel Gate Charge: 1.2nC
  • On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 340 МОм
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 205 МОм
  • Тип корпуса: SOT-323
  • Pulse Current Idm: 4 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max: 1.6 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
  • Voltage Vgs th Max: 1.6 В
  • Voltage Vgs th Min: 0.6 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI1958DHT1E3, SI1958DH T1 E3

На английском языке: Datasheet SI1958DH-T1-E3 - Vishay MOSFET, DUAL, N, SC-70

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России