Datasheet SI1958DH-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SC-70 — Даташит
Наименование модели: SI1958DH-T1-E3
![]() 10 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6Pin SC-70 T/R | |||
SI1958DH-T1-E3 Vishay | 21 ₽ | ||
SI1958DH-T1-E3 Vishay | от 220 ₽ | ||
SI1958DH-T1-E3 | по запросу | ||
SI1958DH-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SC-70
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 205 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
- Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-323
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Семейство: 1958
- Current Id Max: 1.3 А
- Module Configuration: Dual
- N-channel Gate Charge: 1.2nC
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 340 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 205 МОм
- Тип корпуса: SOT-323
- Pulse Current Idm: 4 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 1.6 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1.6 В
- Voltage Vgs th Min: 0.6 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI1958DHT1E3, SI1958DH T1 E3