Datasheet SI3529DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 40 В, TSOP — Даташит
Наименование модели: SI3529DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP | |||
SI3529DV-T1-GE3 Vishay | 233 ₽ | ||
SI3529DV-T1-GE3 MOS | по запросу | ||
SI3529DV-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI3529DV-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 40 В, TSOP
Краткое содержание документа:
Si3529DV
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 40 - 40 RDS(on) () 0.125 at VGS = 10 V 0.165 at VGS = 4.5 V 0.215 at VGS = - 10 V 0.335 at VGS = - 4.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 2.250 1.95 - 1.76 - 1.4 2.2 2.3
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N & P Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Power Dissipation Pd: 1.15 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Количество выводов: 6
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3529DVT1GE3, SI3529DV T1 GE3