Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet SI3529DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 40 В, TSOP — Даташит

Vishay SI3529DV-T1-GE3

Наименование модели: SI3529DV-T1-GE3

Maybo
Весь мир
SI3529DV-T1-GE3
Vishay
233 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
SI3529DV-T1-GE3 MOS
по запросу
SI3529DV-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SI3529DV-T1-GE3
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 40 В, TSOP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si3529DV
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 40 - 40 RDS(on) () 0.125 at VGS = 10 V 0.165 at VGS = 4.5 V 0.215 at VGS = - 10 V 0.335 at VGS = - 4.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 2.250 1.95 - 1.76 - 1.4 2.2 2.3

Спецификации:

  • Полярность транзистора: Dual N & P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Power Dissipation Pd: 1.15 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Количество выводов: 6

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3529DVT1GE3, SI3529DV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3529DV-T1-GE3 - Vishay DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 40 V, TSOP

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка