Datasheet SI3588DV-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, TSOP-6 — Даташит
Наименование модели: SI3588DV-T1-E3
Купить SI3588DV-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 59 до 60 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |||
| SI3588DV-T1-E3 Vishay | 59 ₽ | ||
| SI3588DV-T1-E3 Vishay | 60 ₽ | ||
| SI3588DVT1E3 Vishay | по запросу | ||
| SI3588DV-T1-E3 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, TSOP-6
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 80 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 450 мВ
- Power Dissipation Pd: 830 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: 3 А
- Тип корпуса: TSOP-6
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 450 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3588DVT1E3, SI3588DV T1 E3
