Datasheet SI4500BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 5.3 А — Даташит

Vishay SI4500BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4500BDY-T1-GE3

Купить SI4500BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 332 ₽ 8 предложений от 5 поставщиков Mosfet Array 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SOIC
AiPCBA Весь мир	SI4500BDY-T1-GE3 Vishay	48 ₽
ChipWorker Весь мир	SI4500BDY-T1-GE3 Vishay	49 ₽
Akcel Весь мир	SI4500BDY-T1-GE3 Vishay	от 332 ₽
Acme Chip Весь мир	SI4500BDY-T1-GE3	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 5.3 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4500BDY
Vishay Siliconix
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 20 - 20 RDS(on) () 0.020 at VGS = 4.5 V 0.030 at VGS = 2.5 V 0.060 at VGS = - 4.5 V 0.100 at VGS = - 2.5 V ID (A) 9.1 7.5 - 5.3 - 4.1

Спецификации:

Полярность транзистора: Dual N & P Channel
Continuous Drain Current Id: 7 А
Drain Source Voltage Vds: 20 В
On Resistance Rds(on): 22 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4500BDYT1GE3, SI4500BDY T1 GE3