Datasheet SI4567DY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N/P, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4567DY-T1-E3
Купить SI4567DY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 1 065 ₽ 11 предложений от 8 поставщиков Mosfet Array 40V 5A, 4.4A 2.75W, 2.95W Surface Mount 8-SOIC | |||
SI4567DY-T1-E3 Vishay | от 14 ₽ | ||
SI4567DY-T1-E3 Vishay | 66 ₽ | ||
SI4567DY-T1-E3 Vishay | 67 ₽ | ||
SI4567DY-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N/P, SO-8
Краткое содержание документа:
Si4567DY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 40 RDS(on) () 0.060 at VGS = 10 V 0.070 at VGS = 4.5 V 0.085 at VGS = - 10 V 0.122 at VGS = - 4.5 V ID (A)a 5.0 4.7 - 4.4 - 3.7 Qg (Typ.) 5.6
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 48 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
- Power Dissipation Pd: 2.75 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 5 А
- Температура перехода минимальная: 150°C
- Тип корпуса: SO-8
- Способ монтажа: SMD
- Cont Current Id N Channel: 5 А
- Cont Current Id P Channel: 4.4 А
- On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 60 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 85 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 70 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 122 МОм
- Power Dissipation N Channel 2: 2.75 Вт
- Power Dissipation P Channel 2: 2.95 Вт
- Voltage Vds Typ: 40 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th N Channel 1 Min: 0.8 В
- Voltage Vgs th P Channel Max: 2.2 В
- Voltage Vgs th P Channel Min: 0.8 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SI4567DYT1E3, SI4567DY T1 E3