Datasheet SI4567DY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N/P, SO-8 — Даташит

Купить SI4567DY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 624 ₽ 10 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI4567DY-T1-E3 Dual MOSFET, N and P Channel, 5A, 40V, 48mohm, 10V, 2.2V
Maybo Весь мир	SI4567DY-T1-E3 Vishay	20 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI4567DY-T1-E3	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SI4567DY-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SI4567DY-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N/P, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4567DY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 40 RDS(on) () 0.060 at VGS = 10 V 0.070 at VGS = 4.5 V 0.085 at VGS = - 10 V 0.122 at VGS = - 4.5 V ID (A)a 5.0 4.7 - 4.4 - 3.7 Qg (Typ.) 5.6

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 48 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
• Power Dissipation Pd: 2.75 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 5 А
• Температура перехода минимальная: 150°C
• Тип корпуса: SO-8
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id N Channel: 5 А
• Cont Current Id P Channel: 4.4 А
• On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 60 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 85 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 70 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 122 МОм
• Power Dissipation N Channel 2: 2.75 Вт
• Power Dissipation P Channel 2: 2.95 Вт
• Voltage Vds Typ: 40 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th N Channel 1 Min: 0.8 В
• Voltage Vgs th P Channel Max: 2.2 В
• Voltage Vgs th P Channel Min: 0.8 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI4567DYT1E3, SI4567DY T1 E3